Número de pieza del fabricante : | AU2PDHM3/86A | Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
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Fabricante / Marca : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Condición de stock : | 4130 pcs Stock |
Descripción : | DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | AU2PDHM3/86A.pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | AU2PDHM3/86A |
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Fabricante | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Descripción | DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4130 pcs |
Especificaciones | AU2PDHM3/86A.pdf |
Tensión - inversa de pico (máxima) | Avalanche |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.6A (DC) |
Tensión - Desglose | TO-277A (SMPC) |
Serie | eSMP® |
Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Resistencia @ Si, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
Polarización | TO-277, 3-PowerDFN |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 75ns |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | AU2PDHM3/86A |
Descripción ampliada | Diode Avalanche 200V 1.6A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC) |
configuración de diodo | 10µA @ 200V |
Descripción | DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.9V @ 2A |
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 200V |
Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 175°C |
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
DIODE AVALANCHE 400V 1.6A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
DIODE AVALANCHE 400V 1.6A TO277A
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB