Número de pieza del fabricante : | US1J M2G |
---|---|
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Condición de stock : | 241882 pcs Stock |
Descripción : | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | US1J M2G.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | US1J M2G |
---|---|
Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 241882 pcs |
Especificaciones | US1J M2G.pdf |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 1A |
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V |
Paquete del dispositivo | DO-214AC (SMA) |
Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | DO-214AC, SMA |
Otros nombres | US1J M2G-ND US1JM2G |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Standard |
Descripción detallada | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 600V |
Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
Capacitancia Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F