| Número de pieza del fabricante : | SFAS801GHMNG |
|---|---|
| Estado RoHS : | |
| Fabricante / Marca : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Condición de stock : | - |
| Descripción : | DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB |
| Nave de : | Hong Kong |
| Especificaciones : | SFAS801GHMNG.pdf |
| Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| No. de la parte | SFAS801GHMNG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | En stock |
| Especificaciones | SFAS801GHMNG.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 950 mV @ 8 A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50 V |
| Tecnología | Standard |
| Paquete del dispositivo | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35 ns |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10 µA @ 50 V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 8A |
| Capacitancia Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Número de producto base | SFAS801 |







DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
35NS, 10A, 600V, SUPER FAST RECO
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
35NS, 10A, 600V, SUPER FAST RECO
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB