International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD60R600P7ATMA1

Precio de escalera

350 pcs Stock

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Número de pieza del fabricante :	IPD60R600P7ATMA1
Estado RoHS :	Sin plomo / Cumple con RoHS
Fabricante / Marca :	International Rectifier (Infineon Technologies)
Condición de stock :	350 pcs Stock
Descripción :	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Nave de :	Hong Kong
Especificaciones :	IPD60R600P7ATMA1.pdf
Manera del envío :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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No. de la parte	IPD60R600P7ATMA1
Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	350 pcs
Especificaciones	IPD60R600P7ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 80µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	PG-TO252-3
Serie	CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 1.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	IPD60R600P7ATMA1TR SP001606046
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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Región: China

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