Número de pieza del fabricante : | IS42S86400F-7TL |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Condición de stock : | 1857 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | IS42S86400F-7TL.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | IS42S86400F-7TL |
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Fabricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 1857 pcs |
Especificaciones | IS42S86400F-7TL.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología | SDRAM |
Paquete del dispositivo | 54-TSOP II |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II |
Frecuencia de reloj | 143MHz |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
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