Número de pieza del fabricante : | IS42S32160F-75EBL-TR |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Condición de stock : | 1871 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | IS42S32160F-75EBL-TR.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | IS42S32160F-75EBL-TR |
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Fabricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 1871 pcs |
Especificaciones | IS42S32160F-75EBL-TR.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología | SDRAM |
Paquete del dispositivo | 90-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 90-TFBGA |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de acceso | 6ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II