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NTMFS4708NT3G

Número de pieza del fabricante : NTMFS4708NT3G Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor Condición de stock : 5871 pcs Stock
Descripción : MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL Nave de : Hong Kong
Especificaciones : NTMFS4708NT3G.pdf Manera del envío : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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No. de la parte NTMFS4708NT3G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5871 pcs
Especificaciones NTMFS4708NT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 10 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 7.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Ta)
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