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NTLJS3A18PZTXG

Número de pieza del fabricante : NTLJS3A18PZTXG Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor Condición de stock : 5989 pcs Stock
Descripción : MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 Nave de : Hong Kong
Especificaciones : NTLJS3A18PZTXG.pdf Manera del envío : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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No. de la parte NTLJS3A18PZTXG
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5989 pcs
Especificaciones NTLJS3A18PZTXG.pdf
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 6-WDFN (2x2)
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 18 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 700mW (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
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