Micron lanza el primer chip Dram DDR5 de 1 γ utilizando tecnología EUV
Feb 26,2025
Micron Technology anunció que ha comenzado a enviar 1 gamma (1-gamma) de 16 Gbit DRMA DRAM chips a algunos socios y clientes del ecosistema.
Micron afirma ser la primera compañía en adoptar un nodo 1-gamma (1 γ), que se refiere a la sexta generación de tecnología de proceso DRAM con un tamaño geométrico mínimo entre 19 nm y 10 nm.A medida que los fabricantes de DRAM comenzaron a fabricar DRAM de nivel de 10 nm, abandonaron las mediciones a nanoescala y, en cambio, adoptaron 1x, 1y, 1z, ahora 1 α, 1 β y 1 γ.
Gracias a la ventaja principal anterior de Micron en los nodos de 1 α y 1 β DRAM, este nuevo hito en el nodo DRAM 1 γ impulsará el desarrollo innovador de futuras plataformas informáticas desde aplicaciones de nubes, industriales y de consumo a dispositivos de IA de extremo a extremo como IAi como IA.PC, teléfonos inteligentes y automóviles.Mientras tanto, mediante el desarrollo de 1 nodo gamma en varias bases de fabricación en todo el mundo, Micron puede proporcionar a la industria tecnología más avanzada y una mayor resistencia de suministro.
Micron afirma ser la primera compañía en adoptar un nodo 1-gamma (1 γ), que se refiere a la sexta generación de tecnología de proceso DRAM con un tamaño geométrico mínimo entre 19 nm y 10 nm.A medida que los fabricantes de DRAM comenzaron a fabricar DRAM de nivel de 10 nm, abandonaron las mediciones a nanoescala y, en cambio, adoptaron 1x, 1y, 1z, ahora 1 α, 1 β y 1 γ.
Gracias a la ventaja principal anterior de Micron en los nodos de 1 α y 1 β DRAM, este nuevo hito en el nodo DRAM 1 γ impulsará el desarrollo innovador de futuras plataformas informáticas desde aplicaciones de nubes, industriales y de consumo a dispositivos de IA de extremo a extremo como IAi como IA.PC, teléfonos inteligentes y automóviles.Mientras tanto, mediante el desarrollo de 1 nodo gamma en varias bases de fabricación en todo el mundo, Micron puede proporcionar a la industria tecnología más avanzada y una mayor resistencia de suministro.
La DRAM DDR5 de 1 γ 16Gbit de Micron está diseñada para proporcionar una capacidad de velocidad de hasta 9200MT/s, que es un 15% más rápida y más de un 20% más baja en consumo de energía en comparación con su predecesor (16 Gbit DDR5 implementado utilizando 1 β tecnología).
En comparación con la generación anterior, la tecnología EUV del nodo 1 γ ha aumentado la producción de densidad de capacidad de obleas en un 30%, lo que ha mejorado los beneficios económicos de Micron.Sin embargo, a diferencia del nodo 1 β, requiere el uso de tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) para representar características más finas en obleas de silicio que utilizan longitudes de onda extremadamente cortas.La memoria también incluye la tecnología CMOS de puerta metálica de alta generación de alta generación, que mejora el rendimiento del transistor, logra tasas más altas, diseños más optimizados y tamaños de características más pequeños, lo que brinda doble ventajas de reducción del consumo de energía y expansión del rendimiento.
Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y producto de Micron, dijo: "Con experiencia en el desarrollo de tecnología DRAM patentada y la aplicación estratégica de la tecnología de litografía EUV, Micron ha creado una cartera avanzada de productos de memoria basado en 1 nodos gamma, lo que ayuda a impulsarEl desarrollo del ecosistema AI.Ampliar la escala de la oferta de memoria para satisfacer la creciente demanda de la industria
Micron planea introducir 1 gamma en toda su serie DRAM.Esto incluye DDR5 para centros de datos, DRAM de baja potencia para Edge AI, DDR5 SODIMM para PC AI y LPDDR5X para productos móviles y automóviles.
Micron declaró que los clientes AMD e Intel han comenzado a validar el uso de 1 DRAM gamma en sus servidores y procesadores de consumo.
En comparación con la generación anterior, la tecnología EUV del nodo 1 γ ha aumentado la producción de densidad de capacidad de obleas en un 30%, lo que ha mejorado los beneficios económicos de Micron.Sin embargo, a diferencia del nodo 1 β, requiere el uso de tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) para representar características más finas en obleas de silicio que utilizan longitudes de onda extremadamente cortas.La memoria también incluye la tecnología CMOS de puerta metálica de alta generación de alta generación, que mejora el rendimiento del transistor, logra tasas más altas, diseños más optimizados y tamaños de características más pequeños, lo que brinda doble ventajas de reducción del consumo de energía y expansión del rendimiento.
Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y producto de Micron, dijo: "Con experiencia en el desarrollo de tecnología DRAM patentada y la aplicación estratégica de la tecnología de litografía EUV, Micron ha creado una cartera avanzada de productos de memoria basado en 1 nodos gamma, lo que ayuda a impulsarEl desarrollo del ecosistema AI.Ampliar la escala de la oferta de memoria para satisfacer la creciente demanda de la industria
Micron planea introducir 1 gamma en toda su serie DRAM.Esto incluye DDR5 para centros de datos, DRAM de baja potencia para Edge AI, DDR5 SODIMM para PC AI y LPDDR5X para productos móviles y automóviles.
Micron declaró que los clientes AMD e Intel han comenzado a validar el uso de 1 DRAM gamma en sus servidores y procesadores de consumo.