Número de pieza del fabricante : | W987D6HBGX6E | Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
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Fabricante / Marca : | Winbond Electronics Corporation | Condición de stock : | 8083 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | W987D6HBGX6E.pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | W987D6HBGX6E |
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Fabricante | Winbond Electronics Corporation |
Descripción | IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 8083 pcs |
Especificaciones | W987D6HBGX6E.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns |
Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Paquete del dispositivo | 54-VFBGA (8x9) |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 54-TFBGA |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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