Número de pieza del fabricante : | W9412G6JH-4 | Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
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Fabricante / Marca : | Winbond Electronics Corporation | Condición de stock : | 353 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | W9412G6JH-4.pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | W9412G6JH-4 |
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Fabricante | Winbond Electronics Corporation |
Descripción | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 353 pcs |
Especificaciones | W9412G6JH-4.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 12ns |
Suministro de voltaje | 2.4 V ~ 2.7 V |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Paquete del dispositivo | 66-TSOP II |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de acceso | 48ns |
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA