Número de pieza del fabricante : | A2V09H400-04NR3 | Estado RoHS : | |
---|---|---|---|
Fabricante / Marca : | NXP Semiconductors / Freescale | Condición de stock : | 263 pcs Stock |
Descripción : | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | A2V09H400-04NR3.pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | A2V09H400-04NR3 |
---|---|
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
Descripción | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
cantidad disponible | 263 pcs |
Especificaciones | A2V09H400-04NR3.pdf |
Voltaje - Prueba | 48V |
Tensión - Calificación | 105V |
Tipo de transistor | LDMOS |
Paquete del dispositivo | OM-780-4L |
Serie | - |
Alimentación - Salida | 107W |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | OM-780-4L |
Otros nombres | 568-14067-2 935337372528 A2V09H400-04NR3-ND |
Figura de ruido | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Ganancia | 17.9dB |
Frecuencia | 720MHz ~ 960MHz |
Descripción detallada | RF Mosfet LDMOS 48V 688mA 720MHz ~ 960MHz 17.9dB 107W OM-780-4L |
Valoración actual | 10µA |
Corriente - Prueba | 688mA |
FET RF LDMOS 170W H36248-2
HJ-FET NCH 10DB S02
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
JFET N-CH 25V 20MA TO92
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S