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SI8261BCD-C-IS

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Número de pieza del fabricante : SI8261BCD-C-IS
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
Fabricante / Marca : Energy Micro (Silicon Labs)
Condición de stock : 1565 pcs Stock
Descripción : DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Nave de : Hong Kong
Especificaciones : SI8261BCD-C-IS.pdf
Manera del envío : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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No. de la parte SI8261BCD-C-IS
Fabricante Energy Micro (Silicon Labs)
Descripción DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1565 pcs
Especificaciones SI8261BCD-C-IS.pdf
Suministro de voltaje 13.5 V ~ 30 V
Voltaje - Aislamiento 5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico) 2.8V (Max)
Tecnología Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo 6-SDIP
Serie Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico) 5.5ns, 8.5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.) 28ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max) 60ns, 50ns
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Otros nombres 336-2418-5
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
número de canales 1
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Corriente - Salida Pico 4A
Actual - salida alta, bajo 500mA, 1.2A
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.) 30mA
Inmunidad transitoria en modo común (Min) 35kV/µs
aprobaciones CQC, CSA, UR, VDE
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