Número de pieza del fabricante : | ZXMN2A04DN8TC |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | Diodes Incorporated |
Condición de stock : | 4258 pcs Stock |
Descripción : | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | ZXMN2A04DN8TC.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | ZXMN2A04DN8TC |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4258 pcs |
Especificaciones | ZXMN2A04DN8TC.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 700mV @ 250µA (Min) |
Paquete del dispositivo | 8-SOP |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Potencia - Max | 1.8W |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22.1nC @ 5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.9A |
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3