Número de pieza del fabricante : | AOW11S60 | Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
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Fabricante / Marca : | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Condición de stock : | 20408 pcs Stock |
Descripción : | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | AOW11S60(1).pdfAOW11S60(2).pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | AOW11S60 |
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Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 20408 pcs |
Especificaciones | AOW11S60(1).pdfAOW11S60(2).pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4.1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-262 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 399 mOhm @ 3.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 178W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
Descripción detallada | N-Channel 600V 11A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-262 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
MOSFET N-CH 500V 12A TO262
MOSFET N-CH 650V 11A TO262
MOSFET N-CH 650V 10A TO262
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
MOSFET N-CH 600V 15A TO262
MOSFET N-CH 500V 14A TO262
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
MOSFET N-CH 600V 10A TO262