Número de pieza del fabricante : | AS4C64M8D2-25BIN |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | Alliance Memory, Inc. |
Condición de stock : | 823 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | AS4C64M8D2-25BIN |
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Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 823 pcs |
Especificaciones | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns |
Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Paquete del dispositivo | 60-FBGA (8x10) |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 60-TFBGA |
Otros nombres | 1450-1129 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de acceso | 400ps |
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA