Número de pieza del fabricante : | AS4C16M16SA-6TIN |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | Alliance Memory, Inc. |
Condición de stock : | 855 pcs Stock |
Descripción : | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | AS4C16M16SA-6TIN.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | AS4C16M16SA-6TIN |
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Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
Descripción | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 855 pcs |
Especificaciones | AS4C16M16SA-6TIN.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 12ns |
Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología | SDRAM |
Paquete del dispositivo | 54-TSOP II |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Otros nombres | 1450-1253 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de acceso | 5ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA