Número de pieza del fabricante : | VEC2616-TL-W-Z | Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Condición de stock : | 5160 pcs Stock |
Descripción : | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | VEC2616-TL-W-Z.pdf | Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | VEC2616-TL-W-Z |
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Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descripción | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5160 pcs |
Especificaciones | VEC2616-TL-W-Z.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.6V @ 1mA |
Paquete del dispositivo | SOT-28FL/VEC8 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
Potencia - Max | 1W |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica de FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2.5A |
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
IC AFE 12BIT PLCC68
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
IC AFE 12BIT PLCC68