Número de pieza del fabricante : | FQU9N25TU |
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Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Condición de stock : | 5290 pcs Stock |
Descripción : | MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK |
Nave de : | Hong Kong |
Especificaciones : | FQU9N25TU.pdf |
Manera del envío : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
No. de la parte | FQU9N25TU |
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Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descripción | MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5290 pcs |
Especificaciones | FQU9N25TU.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | I-PAK |
Serie | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.7A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V |
Descripción detallada | N-Channel 250V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK