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EMF18XV6T5G

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Número de pieza del fabricante : EMF18XV6T5G
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Condición de stock : 65485 pcs Stock
Descripción : TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Nave de : Hong Kong
Especificaciones : EMF18XV6T5G.pdf
Manera del envío : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 65485 pcs
Especificaciones EMF18XV6T5G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V, 60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Paquete del dispositivo SOT-563
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potencia - Max 500mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 140MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base EMF
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